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韩联社6月28日消息，三星电子当地时间27日在美国加州硅谷举办“2023三星晶圆代工论坛”，发布瞄准人工智能时代的最尖端晶圆代工流程路线图。

三星电子去年6月实现基于全环绕栅极（GAA）技术的3纳米工艺半导体产品量产。该公司此前已公布将于2025年起量产基于GAA技术的2纳米工艺半导体，当天则提出了具体时间表，即自2025年起以移动终端为中心，到2026年将2纳米工艺适用于高性能计算机集群（HPC），并于2027年将其用途扩至车用芯片。据悉，GAA技术是新一代半导体的核心制程技术，能够提升数据处理速度、电力效率和晶体管性能。

与此同时，该公司还决定从2025年起提供人工智能技术所需的高性能低电耗氮化镓（GaN）功率半导体晶圆代工服务。为此，公司将同相关企业构建先进封装协商机制“MDI（Multi Die Integration）同盟”。

三星电子介绍，通过这些措施，公司力争在2027年将半导体生产能力提升至2021年的7.3倍。